大日本スクリーン製造とウシオ電機は2008年２月５日、共同で開発した半導体製造用ウェハ熱処理装置「凹面サセプタ式フラッシュランプアニール装置（LA-3000-F）」が、日本機械工業連合会（日機連）主催の2007年度（第28回）優秀省エネルギー機器表彰において日機連会長賞を受賞したと発表した。

半導体集積回路製作において、イオン打ち込み後の活性化処理には1000℃を越える温度が必要であり、ハロゲンランプを用いたスパイクアニール装置が使われていたが、回路の集積度合いが高まるにつれ、微細化されたトランジスタが機能しなくなる欠点を生じていた。

両社はこの問題を解決しクセノンフラッシュランプを用いる「凹面サセプタ式フラッシュランプアニール装置（LA-3000-F）」を世界に先駆けて開発し、装置として確立した。2007年末現在、数十台が世界各地の半導体製造工場で稼働している。

ウェハ全体の温度を上げるハロゲンランプ方式に比べ、ウェハの表面わずか数μmの部分を1000分の数秒という短時間で必要な温度まで上げる本フラッシュランプ方式は、使用平均電力が３分の１以下となる。また年間のCO2排出量は約297トンで、従来の装置（約1079トン/15年間24時間操業の場合）に比べて約７割削減できた。

http://www.ushio.co.jp/jp/NEWS/products/20080205.html
http://www.screen.co.jp/

登録日時: 2008/05/15 11:20:19 PM

TAG エネルギー , 企業（製造業） , 環境技術

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